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    材料兼容性

    更新時間:2018-11-15      點擊次數(shù):1919

    下列物質(zhì)將損壞白金(坩堝和傳感器)

    l  鹵素(Cl2,F(xiàn)2,Br2),王水

    l  Li2CO3 ,CO2釋出之前

    l  PbO,F(xiàn)eCl3

    l  Be 合金(在熔點以上即開始揮發(fā))

    l  HCl與氧化性物質(zhì)(如鉻酸,錳酸鹽,三價鐵鹽,熔融鹽)混合

    l  還原性氣氛

    l  金屬和金屬蒸汽,如Pb,Zn,Sn,Ag,Au,Hg,Li,Na,K,Sb,Bi,Ni,F(xiàn)e,steel,As,Si

    l  P, B

    l  Se在320℃以上(建議在測試完成后立即冷卻并移去樣品,以防止硒的揮發(fā))

    l  金屬氧化物與還原性物質(zhì)混合,如C、有機化合物或H2

    l  高溫下氧化物在惰性氣體中(還原反應)

    l  S(使表面粗糙、脆化)

    l  較高溫度下,堿金屬類氫氧化物,堿金屬碳酸鹽、堿金屬硫酸鹽、堿金屬Cyanide以及堿金屬硫Cyanide

    l  KHSO4,較高溫度下

    l  碳黑或單體碳,1000℃以上

    l  SiO2,還原性條件下

    l  SiC和Si3N4,1000℃以上(元素Si的釋放)

    l  HBr,KCN溶液,較高溫度下

    l  耐高溫氧化物,1000℃以上

    l  新加入:PbTe

    白金(坩堝和傳感器)對下列物質(zhì)不具備抵抗力

    l  KNO3與NaOH混合物,700℃,無空氣存在情況下

    l  KOH與K2S混合物,700℃,無空氣存在情況下

    l  LiCl,600℃

    l  Na2O2,500℃,無空氣存在情況下

    l  MgCl2,Ba(NO3)2,700℃

    l  HBr,HI,H2O2(30%)與HNO3,100℃

    l  KCl(熔融過程中的分解產(chǎn)物具有破壞性,熔點:768℃)

    白金(坩堝和傳感器)對下列物質(zhì)抵抗力有限

    l  KHF2,LiF,NaCl,900℃

    l  NaOH與NaNO3的混合物,700℃,無空氣存在情況下

    下列物質(zhì)將損壞氧化鋁

    l  N2在碳的存在下:形成AlN。因此較高溫度下在氮氣氣氛中用Al2O3坩堝測試碳黑是危險的。

    l  F2:將形成AlF3與O2

    l  Cl2:在700℃以上形成AlCl3

    l  S:與液態(tài)硫不反應,若氣相中存在碳,則在較高溫度下形成硫化物。

    l  H2S:在加熱情況下將形成高至3%的Al2S3

    l  C:約從1400℃起將形成碳化物與Al。

    l  HF:在較高溫度下定量生成AlF3與H2O

    l  CuSO4:約從1000℃起擴散滲透坩堝底部

    l  含Si化合物(如MoSi2):在惰性氣氛下約從1200℃起污染氧化鋁坩堝;在空氣氣氛下將在接觸點發(fā)生反應。

    l  金屬氟化物:熔融后發(fā)生反應,形成AlF6陰離子與類似于冰晶石的無機鹽。

    l  SiO2玻璃:熔融后的玻璃將溶解Al2O3

    l  堿金屬與堿土金屬的硫酸氫鹽

    l  HCl:600℃之前無反應,600℃后在碳的存在下反應程度逐漸增加。

    l  B2O3或硼砂:熔體將溶解Al2O3,形成硼酸鋁與硼化鋁

    l  堿金屬與堿土金屬的氧化物,以及其含揮發(fā)性陰離子的鹽類:熔融物與氧化鋁反應形成鋁酸鹽或復氧化物,這對于氫氧化物、氮化物、硝酸鹽、碳酸鹽、過氧化物等尤為重要。

    l  CaC2:加熱后形成Al4C3

    l  PbO:700℃以上發(fā)生反應。對于更高價的鉛氧化物以及帶揮發(fā)性酸根的鉛鹽同樣如此。

    l  UO3:450℃以上開始反應,與PbO情況相似。

    l  MeIIO:Me = Fe2+,Co2+,Ni2+ 等,形成尖晶石,1200℃以上形成CaO。

    l  堿金屬與堿土金屬的鐵酸鹽:熔融物將溶解氧化鋁

    l  LiF

    l  熔融范圍在800℃~1200℃之間的鋯合金:緩慢微弱的反應

    l  某些金屬合金,如Fe與4%的Al

    l  鈦合金(*的氧氣親和性)

    l  在高溫下可能與Fe-Ni合金和Mg合金反應

    下列物質(zhì)將損壞石墨

    l  O2,400℃以上

    l  熔融金屬,如Fe,Co,Ni,Na

    l  N2,1700℃開始反應(形成少量的Cyanide)

    l  氧化物(在直接接觸情況下可能被還原)

    l  水蒸氣

    l  F2,Br2,室溫下

    l  S

    l  Si,1400℃(形成SiC)

    l  鉻酸(含水)

    l  ClSO2OH Cl-SO3H

    l  SiO2:通過中間產(chǎn)物SiO形成SiC(1800℃以上得到技術意義上的SiC產(chǎn)物;也就是說,SiO2與C之間的反應必定在較低的溫度下即已開始進行)

    l  氧化氮氣體(NO,NO2)

    l  濃縮硫酸H2SO4,在約150℃。高濃度硫酸H2SO4,室溫

    l  稀釋硝酸HNO3,在約90℃。高濃度HNO3,室溫。

    l  SO3,100℃以上

    l  與高氯酸HClO4混合有爆炸危險。

    l  NaOCl,50℃以上

    備注:

    1.以上列表不保證羅列了所有可能對坩堝有害的物質(zhì)或反應。

    2. 所給出的各溫度主要為文獻值。由此,在實際的測試條件下可能在較低的溫度下就會出現(xiàn)反應。建議對于可能有危害性的樣品,先在其它爐體中作預試驗。


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